ලිතියම් සූර්ය කෝෂයේ ආරක්ෂණ පරිපථය ආරක්ෂිත IC සහ MOSFET දෙකකින් සමන්විත වේ.ආරක්ෂණ IC බැටරි වෝල්ටීයතාවය නිරීක්ෂණය කරන අතර අධික ආරෝපණය සහ විසර්ජන අවස්ථාවන්හිදී බාහිර බලය MOSFET වෙත මාරු වේ.එහි කර්තව්‍යයන්ට අධි ආරෝපණ ආරක්ෂාව, අධික විසර්ජන ආරක්ෂණය සහ අධි ධාරා/කෙටි පරිපථ ආරක්ෂණය ඇතුළත් වේ.
අධිආරෝපණ ආරක්ෂණ උපාංගය.
අධිආරෝපණ ආරක්ෂණ IC හි මූලධර්මය පහත පරිදි වේ: බාහිර චාජරයක් ලිතියම් සූර්ය කෝෂයක් ආරෝපණය කරන විට, උෂ්ණත්වය ඉහළ යාම හේතුවෙන් අභ්යන්තර පීඩනය ඉහළ යාම වැළැක්වීම සඳහා විශ්වාස කිරීම නතර කිරීම අවශ්ය වේ.මෙම අවස්ථාවේදී, ආරක්ෂණ IC බැටරියේ වෝල්ටීයතාව හඳුනා ගැනීමට අවශ්ය වේ.එය ළඟා වූ විට (බැටරියේ අධි ආරෝපණ ලක්ෂ්‍යය යැයි උපකල්පනය කර), අධි ආරෝපණ ආරක්ෂාව සහතික කෙරේ, බලය MOSFET සක්‍රිය සහ අක්‍රිය කර පසුව ආරෝපණය අක්‍රිය වේ.
1.අධික උෂ්ණත්වයෙන් වළකින්න.ලිතියම් සූර්ය කෝෂ ආන්තික උෂ්ණත්වයන්ට සංවේදී වේ, එබැවින් ඒවා 0 ° C ට අඩු හෝ 45 ° C ට වැඩි උෂ්ණත්වයකට නිරාවරණය නොවන බව සහතික කිරීම වැදගත් වේ.
2.අධික ආර්ද්රතාවයෙන් වළකින්න.අධික ආර්ද්රතාවය ලිතියම් සෛල විඛාදනයට හේතු විය හැක, එබැවින් ඒවා වියළි පරිසරයක තබා ගැනීම වැදගත් වේ.
3.ඒවා පිරිසිදුව තබා ගන්න.අපිරිසිදු, දූවිලි සහ අනෙකුත් අපවිත්‍ර ද්‍රව්‍ය සෛලවල කාර්යක්ෂමතාව අඩු කළ හැකි බැවින් ඒවා පිරිසිදුව හා දූවිලි වලින් තොරව තබා ගැනීම වැදගත්ය.
4.ශාරීරික කම්පනයෙන් වළකින්න.භෞතික කම්පනය සෛල වලට හානි විය හැක, එබැවින් ඒවා වැටීමෙන් හෝ පහර දීමෙන් වැළකී සිටීම වැදගත් වේ.
5.සෘජු හිරු එළියෙන් ආරක්ෂා වීම.සෘජු හිරු එළිය සෛල අධික ලෙස රත් වීමට හා හානි කිරීමට හේතු විය හැක, එබැවින් හැකි සෑම විටම සෘජු හිරු එළියෙන් ඒවා ආරක්ෂා කිරීම වැදගත් වේ.
6.ආරක්ෂිත නඩුවක් භාවිතා කරන්න.සෛල මූලද්‍රව්‍ය වලින් ආරක්ෂා කිරීම සඳහා භාවිතා නොකරන විට ආරක්ෂිත නඩුවක ගබඩා කිරීම වැදගත් වේ.
මීට අමතරව, අධික ආරෝපණ ආරක්ෂාවක් ලෙස විනිශ්චය නොකිරීමට ශබ්දය හේතුවෙන් අධික ආරෝපණ හඳුනාගැනීමේ අක්‍රියතාව කෙරෙහි අවධානය යොමු කළ යුතුය.එබැවින්, ප්‍රමාද කාලය සැකසීමට අවශ්ය වන අතර, ප්‍රමාද කාලය ශබ්ද කාල සීමාවට වඩා අඩු විය නොහැක.
පසු කාලය: ජූනි-03-2023